Por Redacción Pangea IA ·
La inteligencia artificial no solo necesita procesadores. Necesita una cantidad creciente de memoria capaz de alimentar esos procesadores a gran velocidad. Ese segundo cuello de botella ha convertido a Samsung, SK hynix y Micron en tres de las empresas más beneficiadas por la expansión de los centros de datos, pero también está encareciendo la RAM convencional que acaba en servidores, ordenadores, móviles y automóviles.
La expresión «escasez de RAM provocada por la IA» simplifica una historia más compleja, aunque señala correctamente su origen principal. Los centros de datos no están comprando los mismos módulos que se instalan en un PC doméstico. Demandan sobre todo HBM —memoria de gran ancho de banda apilada junto al acelerador—, módulos DDR5 de alta capacidad para servidores y, cada vez más, memorias de bajo consumo diseñadas para inferencia. El problema es que todos esos productos compiten por fábricas, obleas, equipos y personal especializado que no pueden multiplicarse de un trimestre para otro.
El resultado es un mercado extraordinariamente concentrado y con una capacidad productiva que llega tarde respecto a la demanda. En el primer trimestre de 2026, Samsung, SK hynix y Micron reunieron aproximadamente el 89,7 % de los ingresos mundiales de DRAM, según TrendForce. El mismo análisis estimó que los precios contractuales de la DRAM convencional subirían entre un 58 % y un 63 % en el segundo trimestre. No es una tensión puntual: los fabricantes ya están firmando acuerdos plurianuales y levantando instalaciones cuya producción relevante no aparecerá hasta 2027, 2028 o 2029.
Por qué la HBM de la IA deja menos espacio para la RAM convencional
Una GPU o un acelerador de IA puede ejecutar billones de operaciones, pero se queda esperando si los datos no llegan a tiempo. La HBM resuelve ese problema colocando varias capas de DRAM una encima de otra y conectándolas mediante miles de vías microscópicas. Al situarse muy cerca del procesador, mueve muchos más datos por segundo y consume menos energía por bit transferido que una memoria convencional alejada del chip.
La ventaja técnica tiene un coste industrial. Los chips de HBM son mayores, se apilan, requieren encapsulado avanzado y presentan más oportunidades de fallo. TrendForce calculó ya en 2024 que una matriz HBM era entre un 35 % y un 45 % más grande que una DDR5 comparable, con rendimientos entre un 20 % y un 30 % inferiores y un ciclo de fabricación entre mes y medio y dos meses más largo. S&P Global Market Intelligence señala que cada bit de HBM consume más de tres veces la capacidad de oblea de la DRAM convencional.
Por eso una pequeña variación en el reparto de las fábricas tiene efectos desproporcionados. TrendForce prevé que la entrada de obleas destinada a HBM pase del 18 % del total de DRAM a finales de 2025 al 22 % en 2026 y al 30 % en 2027. En bits producidos, sin embargo, su peso sería mucho menor: un 8 %, un 9 % y un 13 %, respectivamente. Cada oblea dedicada a la memoria más rentable de un acelerador es capacidad que no fabrica módulos convencionales.
La IA tampoco explica todo por sí sola. Las transiciones a procesos más avanzados, la disciplina inversora adoptada después de anteriores crisis de sobreproducción y las limitaciones del encapsulado contribuyen a la escasez. Pero la demanda de los centros de datos ha cambiado la prioridad de los fabricantes: la capacidad disponible va primero a los clientes que firman contratos largos y compran productos de mayor margen.
Tres empresas controlan casi toda la DRAM
Las cifras del primer trimestre de 2026 dibujan un oligopolio. Samsung conservó el liderazgo general de DRAM con el 38,5 % de los ingresos; SK hynix obtuvo el 28,8 % y Micron, el 22,4 %. El 10,3 % restante quedó repartido entre productores menores, especialmente fabricantes chinos y taiwaneses.
- Samsung: 38,5 % del mercado DRAM y 37.320 millones de dólares de ingresos trimestrales estimados en esta categoría.
- SK hynix: 28,8 % y 27.980 millones de dólares.
- Micron: 22,4 % y 21.750 millones de dólares.
En HBM, la fotografía es diferente. Reuters situó la cuota de 2025 de SK hynix en el 61 %, frente al 21 % de Micron y el 17 % de Samsung. Las cifras pueden variar según se mida volumen, bits o ingresos, pero la conclusión no cambia: Samsung domina la DRAM total; SK hynix lidera la memoria específica para aceleradores de IA; y Micron se ha convertido en un tercer competidor mucho más fuerte de lo que su menor escala sugería hace pocos años.
Samsung: la mayor capacidad y la oportunidad de recuperar HBM
Samsung parte con la ventaja más difícil de replicar: una de las mayores capacidades de fabricación de DRAM del mundo y una cadena integrada que abarca memoria, fundición y encapsulado. Esa combinación le permite diseñar tanto las capas de memoria como el chip lógico situado en la base de la HBM, además de ensamblar el producto final.
La compañía comenzó la producción en masa y los envíos comerciales de HBM4 en febrero de 2026. El producto alcanza 11,7 gigabits por segundo de forma sostenida y puede llegar a 13 Gbps. Samsung espera que sus ventas de HBM más que se tripliquen este año y afirma que está ampliando la capacidad de HBM4. En mayo dio otro paso al enviar muestras de HBM4E de doce capas a grandes clientes.
Los resultados ya reflejan la escasez. En el segundo trimestre, la división de semiconductores registró máximos históricos y Samsung reconoció que la capacidad disponible era limitada, por lo que priorizó productos para servidores. La empresa espera que el mercado siga insuficientemente abastecido durante la segunda mitad de 2026.
Su fortaleza: es el fabricante mejor situado para añadir volumen a gran escala y atender a varios tipos de memoria sin depender de un único producto. Su desafío: convertir esa escala en cuota real de HBM y mantener rendimientos altos en una tecnología mucho más compleja. Si lo consigue, Samsung es quien más capacidad tiene para estrechar la distancia con SK hynix.
SK hynix: el líder de HBM y la expansión más agresiva
SK hynix tomó antes que sus rivales la decisión estratégica de apostar por HBM y convirtió esa especialización en una relación privilegiada con los diseñadores de aceleradores. En el segundo trimestre de 2026 inició los envíos masivos de HBM4 y anunció que aceleraría el aumento de producción durante la segunda mitad del año. También aseguró haber alcanzado acuerdos a largo plazo con alrededor de diez clientes.
Su instalación M15X en Cheongju fue concebida precisamente para ampliar DRAM avanzada y HBM, con más de 20 billones de wones de inversión a largo plazo. Pero la magnitud de sus planes se aprecia mejor mirando más allá del ciclo actual. La empresa ha adelantado de 2045 a 2033 la finalización de cuatro fábricas en el clúster de Yongin y ha trazado una estrategia de inversión de 1.100 billones de wones entre Yongin, Cheongju y el suroeste de Corea.
El 7 de agosto aprobó otros 54 billones de wones para dos instalaciones: Y2, destinada a DRAM y HBM, y M17, centrada en NAND. No aliviarán la escasez inmediata. La primera sala limpia de Y2 está prevista para junio de 2029 y la de M17, para diciembre de 2028; la instalación Y1 de Yongin apunta a febrero de 2027. Es una demostración de por qué la oferta no puede responder con rapidez, incluso cuando el dinero está disponible.
Su fortaleza: liderazgo tecnológico, clientes ancla y mayor cuota de HBM. Su desafío: sostener el ritmo inversor y reducir la dependencia de unos pocos compradores de aceleradores. A corto plazo es la favorita para conservar el liderazgo de HBM; a largo plazo, su apuesta es también la más intensiva en capital.
Micron: menor escala, crecimiento explosivo y una ventaja estratégica en Estados Unidos
Micron es la menor de las tres por cuota de DRAM, pero sus cuentas muestran hasta qué punto la escasez ha cambiado el negocio. En su tercer trimestre fiscal de 2026 ingresó 41.456 millones de dólares, frente a 9.301 millones un año antes, y logró un margen bruto del 84,6 %. Solo las unidades de memoria para la nube y para centros de datos aportaron 25.293 millones.
La compañía ya produce HBM4 en gran volumen para su cliente principal y ha enviado muestras a otros compradores. Su oferta de HBM de 2026 quedó asignada con antelación, una señal de demanda muy superior al suministro disponible. Además, reveló compromisos de clientes por 22.000 millones de dólares para asegurar memoria, un cambio importante en un sector que históricamente vendía gran parte de su producción a precios mucho más volátiles.
Micron invirtió 7.100 millones de dólares netos en capital solo durante el último trimestre publicado y espera cerrar su ejercicio 2026 cerca de 27.000 millones. La nueva planta de encapsulado HBM de Singapur inicia operaciones en 2026, aunque su aportación significativa llegará en 2027. La primera fábrica de DRAM de Boise también empezará a producir en 2027; el centro de Tongluo, en Taiwán, aportará envíos relevantes en el ejercicio fiscal 2028. A ello se suma un laboratorio de investigación en Boise dotado con 10.000 millones de dólares durante la próxima década.
Su fortaleza: crecimiento financiero, contratos plurianuales y condición de único gran fabricante estadounidense de memoria, valiosa en un momento de políticas industriales y preocupación por la cadena de suministro. Su desafío: dispone de menos capacidad que sus rivales coreanos y gran parte de la nueva producción tardará varios años en llegar.
Quién ha ganado más en bolsa
La respuesta depende de la fecha elegida, algo esencial en un sector tan cíclico. En el gran tramo alcista de la primera mitad de 2026, SK hynix fue la vencedora. El 22 de junio, cuando llegó a superar brevemente a Samsung como la empresa cotizada más valiosa de Corea del Sur, sus acciones acumulaban una subida superior al 340 % en el año, frente a aproximadamente el 200 % de Samsung. Tres días después, Reuters señalaba que Micron había más que triplicado su valor desde enero.
Micron fue, por tanto, el gran ganador entre los inversores estadounidenses y SK hynix lideró el grupo en rendimiento hasta el máximo de junio. Samsung también registró una revalorización extraordinaria, aunque inferior, porque su negocio es más diversificado y el mercado había penalizado anteriormente su retraso en HBM.
La fotografía se volvió menos cómoda durante el verano. Las tres compañías corrigieron desde sus máximos ante la duda de si el gasto en IA podría mantenerse. SK hynix cayó cerca de un 10 % el 19 de agosto antes de anunciar una recompra de acciones por 40 billones de wones; Samsung retrocedió un 9 % el 24 de agosto tras decepcionar su plan de remuneración; y Micron perdió un 5,8 % esa misma sesión. La demanda de memoria seguía fuerte, pero las valoraciones ya descontaban años de beneficios excepcionales.
Esta distinción importa: una empresa puede dominar un mercado y, aun así, ofrecer una mala rentabilidad si sus acciones ya incorporan un escenario perfecto. Estas cifras describen lo ocurrido, no constituyen una recomendación de inversión.
Quién puede dominar y quién puede ampliar más la producción
No hay un único vencedor porque se disputan tres carreras diferentes.
- SK hynix es la favorita inmediata en HBM. Parte de la mayor cuota, produce HBM4 en volumen y tiene acuerdos largos con grandes compradores. Es la posición más sólida para los próximos ciclos de aceleradores.
- Samsung conserva la mayor palanca industrial. Lidera la DRAM total, dispone de gran capacidad y controla más etapas de la fabricación. Si mantiene los rendimientos de HBM4 y logra nuevas homologaciones, puede ser quien más cuota gane y quien más contribuya a aumentar la oferta.
- Micron es el competidor con mayor impulso financiero y geopolítico. Su menor escala limita el volumen inmediato, pero sus contratos, la producción HBM4 y las inversiones en Estados Unidos, Taiwán y Singapur pueden elevar su peso durante la segunda mitad de la década.
Los fabricantes menores pueden beneficiarse de los precios de la DRAM convencional, pero aún no tienen el rendimiento, el encapsulado ni las relaciones necesarias para disputar HBM avanzada a los tres líderes. La china CXMT representa una amenaza futura en DRAM, aunque las restricciones de acceso a equipos y clientes internacionales dificultan que cambie el equilibrio global a corto plazo.
La escasez no se resolverá construyendo una fábrica mañana
El dato más importante no es cuánto anuncian las empresas, sino cuándo puede convertirse esa inversión en chips vendibles. Una fábrica avanzada necesita años de permisos, construcción, suministro eléctrico, agua ultrapura, equipos y validación de procesos. Después debe alcanzar rendimientos suficientes. Los proyectos de SK hynix y Micron muestran que una decisión tomada hoy difícilmente aporta un volumen significativo antes de 2027 o 2028.
Mientras tanto, la presión se extiende fuera de la HBM. Los proveedores de nube necesitan también enormes bancos de DDR5 para las CPU que acompañan a las GPU. La inferencia de modelos con contextos largos multiplica la cantidad de memoria por servidor. Y el almacenamiento rápido para datos y cachés está elevando, además, la demanda de SSD empresariales. Es el mismo fenómeno que analizamos al estudiar la propuesta de llevar centros de datos al espacio: la carrera de la IA ya no depende únicamente del chip de cálculo, sino de toda la infraestructura que lo rodea.
Para los consumidores, eso puede traducirse en módulos de RAM más caros, menos promociones y dispositivos que mantengan durante más tiempo las mismas capacidades. Para los centros de datos, significa contratos largos, pagos anticipados y una parte creciente del presupuesto destinada a memoria. Para los fabricantes, es una oportunidad extraordinaria, pero también el riesgo de repetir el patrón clásico del sector: invertir cuando los precios están en máximos y encontrarse con exceso de capacidad cuando las nuevas fábricas por fin arrancan.
Conclusión: la memoria se ha convertido en infraestructura estratégica
La escasez de RAM no es un accidente lateral de la inteligencia artificial. Es la consecuencia de que los modelos necesitan mover y conservar cada vez más datos, mientras la fabricación de memoria avanzada sigue concentrada en tres compañías y crece mucho más despacio que la demanda.
SK hynix tiene hoy la posición más fuerte en HBM y fue la acción que más se revalorizó en el primer gran tramo de 2026. Samsung posee la escala y la integración necesarias para recuperar terreno y añadir más volumen. Micron combina el crecimiento más espectacular de sus cuentas con una expansión estratégica que puede convertirla en un proveedor aún más decisivo, aunque buena parte de esa capacidad llegará tarde para el cuello de botella actual.
La pregunta ya no es si habrá demanda para las nuevas fábricas, sino cuánto tiempo podrán los fabricantes ampliar la oferta sin destruir la disciplina de precios que ha hecho tan rentable este ciclo. Esa tensión —entre aliviar la escasez y proteger los márgenes— decidirá quién domina la memoria de la IA.
Fuentes consultadas
- TrendForce: cuota e ingresos del mercado DRAM en el primer trimestre de 2026.
- TrendForce: efecto de la HBM sobre la capacidad de DRAM y previsión para 2027.
- S&P Global Market Intelligence: la HBM desplaza capacidad de DRAM convencional.
- Samsung Electronics: resultados del segundo trimestre de 2026.
- Samsung Electronics: producción comercial de HBM4 y previsión de ventas.
- SK hynix: resultados del segundo trimestre y producción de HBM4.
- SK hynix: inversión y calendario de las fábricas Y2 y M17.
- Micron: resultados del tercer trimestre fiscal de 2026.
- Micron: plan de expansión de DRAM y HBM en Estados Unidos.
- Reuters: evolución bursátil de SK hynix y Samsung.
- Reuters: evolución bursátil de Micron y reacción del sector.
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